绿易破（b）具有不同催化剂的纤维状ZAB的恒电流放电和充电曲线。

自上向下路线的机理是选择合适的分子或离子选择性地吸附在有利的表面，证交之困保护它们免受蚀刻试剂的攻击。局风济性水分解反应的化学活性强度顺序为(001)(103)f (100)(110)(103)s (101)。

图1.在半导体/衬底界面，光基ϕmϕs和ϕmϕs下的带弯[1]   在光阳极的半导体/衬底界面上，由于n型半导体与导电基片的费米能级不同，发生电荷转移。地经(b)完整的和刻蚀的TiO2表面载流子捕获示意图。绿易破湿化学工艺(例如水热/溶剂热工艺或电沉积)在导电衬底上直接生长半导体晶体。

此外，证交之困晶体的不同表面可能对蚀刻剂具有不同的耐蚀性。因此，局风济性缺失某一特定晶面的空心晶体结构是可以实现的。

因此，光基基于光电极晶面构建异质结为协同增强PEC性能提供了巨大机会。

地经(E)2D,E-2D和离子交换和退火后的F-2D的光电流密度。【引言】随着全球工业化和人口的迅速崛起，绿易破对可再生能源的追求一直是一项紧迫的挑战。

【小结】半透明太阳能电池（ST-SC）因其在许多领域的广泛应用而备受关注，证交之困例如建筑集成光伏（BIPV），串联设备和可穿戴电子设备。最近，局风济性OxfordPV的钙钛矿-硅串联太阳能电池（TSC）已获得28％的PCE，接近光伏发电的应用。

由于ST-PSC在ST-PSC中的重要作用，光基ST-PSC的光管理（LM）作为一个小节进行了讨论。【图文导读】Figure1.用于半透明太阳能电池的钙钛矿吸收剂a）如下结构器件的透射光谱：地经玻璃/In2O3:H/PTAA/MAPbI3/PCBM/ZnO/ZnOb）MAPbI3在25℃和60℃下在28.8℃（220℃）下的XRD峰强度c）对于FA0.83Cs0.17PbBrxI3-x，地经CsPbBrxI3-x和FAxMA1-xPbBryI3-y的钙钛矿薄膜和相应的PSC的带隙范围和照片，其中x或y从0增加到1d）ETL，HTL的能级和双面ST-PSC的普通TE的功函数，使用具有微纳米结构作为活性层的钙钛矿薄膜或钙钛矿e-g）通过利用光学微腔（e），光晶体（f）和反射调制（g）来产生多个颜色的ST-PSCFigure2.ST-PSC的应用a）运行中的BIPV的ST-PSCb）具有热镜功能的ST-PSC的图示c-e）使用晶粒工程和带隙调整（c），LM箔（d）或完全纹理结构（e）的高效TSC的结构示意图。